本期发布材料与装备技术分会部分特邀内容
时间：2014年11月6日 下午 14:00-17:30
地点：三层 宴会厅B
分会介绍：
LED通用照明即将规模性爆发，进一步提高LED的发光效率和降低LED的制备成本仍然非常重要。目前，在外延方法、能量转换效率、热能管理、生产设备和工艺过程控制方面，LED仍有大幅提升空间。材料与装备技术对于LED性价比的提升至关重要，也是LED照明市场获得发展的关键推动力。
特邀报告（一）
报告题目：InGaN LED研究：材料与器件
李起鸣 - 映瑞光电科技（上海）有限公司 首席技术官
个人介绍：
李起鸣博士于2005年在美国新墨西哥大学取得化学工程博士学位。于2006年加入美国能源部桑迪亚(Sandia)国家实验室，一直致力于半导体照明领域前瞻性研究。2006年到2013年间任职于美国顶尖实验室桑迪亚(Sandia)国家实验室半导体照明中心，曾主持大功率发光二极管衬底材料开发， 3D立体LED设计，氮化镓/氮化镓铟纳米线激光设计等重大项目。现有美国专利7项，美国能源部内部发明11项。
报告摘要：
本报告将介绍映瑞光电在高驱动电流密度的条件下提升InGaN LED效率的最新进展。在材料方面，我们将展现我们的外延策略，即依靠V-型瑕疵来提升量子效率。在量子阱区域下方特意制造一些V-型瑕疵，造成量子阱在横向上的破裂。实验和计算结果表明这些结构能够在量子阱中松弛压力、发散光线并增加载流子注入。在器件方面，我们研究了垂直器件方案中的高反射度电极和层级曲面粗加工。在层级曲面粗加工中，为了最大化量子阱区域附近的光萃取，设计了微米级模式和次微米级粗加工。通过这些改进，发光效率总共提升了20%，如图所示。
特邀报告(二)
报告题目：高效LED调查与研究：效率下降现象改进与3D LED
郭浩中 - 台湾交通大学光电工程系 主任
个人介绍：
伊利诺伊大学香槟分校电子与计算机工程系博士；罗格斯大学电机（电子）工程系硕士；台湾大学物理系学士。2012年8月至今任台湾国立交通大学特聘教授；IEEE JSTQE编辑；《光波技术杂志》副主编。在同业评审期刊上共发表300多篇论文。2012年成为美国光学会会（OSA）士；2013年成为国际光学工程学会（SPIE）会士；2012年成为英国工程技术学会（IET）会士。
报告摘要：
为改进效率下降问题，我们在四元结构InAlGaN/GaN超晶格EBL中引入520 nm绿光LED，在100 A/cm2下使得量子效率（EQE）获得57%的提升，效率下降减少了30%。另一种方法是在较薄的量子势垒（QB）设计中引入蓝光GaN-on-Si LED。8 nm厚度的QB效率下降并不高，但EQE峰值也很高，数值分别为效率下降13.85%，EQE峰值为54.56%。
本报告将简要介绍我们的3D白光LED技术，尤其是MOCVD生长和3D特性。
特邀报告（三）
报告题目：Enhanced output power for GaN-based green LEDs with digital InN/GaN growth method
张守进 - 台湾成功大学 教授
个人介绍：
1989年获得加州大学洛杉矶分校电气工程博士学位；1985年获得纽约州立大学电气工程硕士学位；1983年获得台湾国立成功大学电气工程学士学位。长春科技大学名誉教授。研究领域主要包括半导体物理学、光电子器件及纳米技术。2004年荣获台湾科学委员会杰出研究奖。美国光学学会（OSA）会士、国际光学工程学会（SPIE）会士、IEEE会士。
